特許

J-GLOBAL ID：200903099880986750

強誘電体薄膜の製造方法

発明者： 奥 光正
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-177736
公開番号（公開出願番号）：特開2001-356309
出願日： 2000年06月14日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】 溶液を用いる成膜方法であっても、電気光学特性のうち特に2次の電気光学係数に優れた強誘電体薄膜を得られるようにする。【解決手段】 例えば、有機金属分解(MOD)法を用いて、基板上にPLZTを得られるMOD溶液原料をスピンコートし、乾燥させて乾燥膜とする。その後、乾燥膜に対して焼成を行なって、乾燥膜から強誘電体薄膜を形成する。続いて、焼成後の冷却温度勾配が1°C/秒〜15°C/秒となるように冷却する。

請求項（抜粋）：

有機金属を含む溶液原料を用いて強誘電体薄膜を製造する強誘電体薄膜の製造方法であって、基板の上に前記溶液原料を膜状に塗布する塗布工程と、塗布した溶液原料を乾燥させて乾燥膜を形成する乾燥工程と、形成した乾燥膜に対して熱処理を行なって前記乾燥膜から強誘電体薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記強誘電体薄膜を冷却温度勾配が1°C/秒〜15°C/秒程度の平均温度勾配となるように冷却する冷却工程とを備えていることを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

G02F 1/055 501 ,  C01G 25/00 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 418 ,  H01L 27/105

FI (5件)：

G02F 1/055 501 ,  C01G 25/00 ,  H01G 4/12 418 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (38件)：

2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079CA22 ,  2H079DA04 ,  2H079EB14 ,  2H079HA12 ,  2H079JA00 ,  2H079KA05 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AB05 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AE08 ,  5E001AB06 ,  5E001AE00 ,  5E001AE03 ,  5E001AH00 ,  5E001AH01 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082BB10 ,  5E082BC14 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG41 ,  5E082FG54 ,  5E082KK01 ,  5E082MM24 ,  5E082PP10 ,  5F083FR00 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA15 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33