特許

J-GLOBAL ID：200903099885801368

半導体の結晶成長方法、結晶成長装置及びそれらを用いて形成された半導体基板

発明者： 島本 幸治
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-143619
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349402
出願日： 2003年05月21日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】下地用半導体基板上に、転位密度が十分小さい高抵抗のノンドープ半導体結晶層を容易に結晶成長させることができる半導体の結晶成長方法、結晶成長装置及びそれらを用いて形成された高品質、高性能な半導体基板を提供すること。【解決手段】真空に保持できる結晶成長室2と、この結晶成長室2内に結晶材料用の原料を供給する原料供給部3と、結晶成長室2内に設けられ、下地用半導体基板Wを支持する支持部4とを備える。支持部4は、所定の曲率をもって凸状に湾曲する支持曲面を有し、この支持曲面に沿わせた状態で下地用半導体基板Wを支持可能な支持部材6を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

真空に保持できる結晶成長室と、この結晶成長室内に結晶材料用の原料を供給する原料供給部と、結晶成長室内に設けられ、下地用半導体基板を支持する支持部と、結晶成長室内で下地用半導体基板を所定温度に加熱する加熱部とを備え、 前記支持部が、所定の曲率をもって凸状に湾曲する支持曲面を有し、この支持曲面に沿わせた状態で下地用半導体基板を支持可能な支持部材を備えたことを特徴とする半導体の結晶成長装置。

IPC (2件)：

H01L21/20 ,  H01L21/205

FI (2件)：

H01L21/20 ,  H01L21/205

Fターム (22件)：

5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AD09 ,  5F045AF03 ,  5F045BB06 ,  5F045BB07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045DP03 ,  5F045EM02 ,  5F045EM03 ,  5F045EM09 ,  5F052CA01 ,  5F052DA04 ,  5F052DA05 ,  5F052DB06 ,  5F052JA01 ,  5F052KA01