特許

J-GLOBAL ID：200903099890758004

半導体発光装置

発明者： 棚橋 俊之 ,  雙田 晴久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-237511
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075205
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体発光装置に関し,漏れ電流の小さい,高効率,高出力の半導体レーザ装置の提供を目的とする。【構成】 一導電型InP基板1と, 一導電型InP基板1上に形成された一導電型InPバッファ層2と,一導電型InPバッファ層2の一部,InGaAsP活性層3,反対導電型InPクラッド層4からなる積層構造のメサストライプ部と,メサストライプ部の側面及び一導電型n-InPバッファ層2上を覆うp型GaAsバリア層6と, p型GaAsバリア層6に接するp型InP埋込み層7とを有する半導体発光装置により構成する。また,上記の構造に加えて,前記p型InP埋込み層7の表面を覆うp型GaAsバリア層を有する半導体発光装置により構成する。

請求項（抜粋）：

一導電型InP基板(1, 21) と, 該一導電型InP基板(1,21) 上に形成された一導電型InPバッファ層(2, 22) と,該一導電型InPバッファ層(2, 22) の一部,InGaAsP活性層(3, 23) ,反対導電型InPクラッド層(4, 24) からなる積層構造のメサストライプ部と,該メサストライプ部の側面及び該一導電型InPバッファ層(2, 22) 上を覆うp型GaAsバリア層(6, 26) と, 該p型GaAsバリア層(6, 26) に接するp型InP埋込み層(7,27) とを有することを特徴とする半導体発光装置。