特許

J-GLOBAL ID：200903099894276950

付加重合触媒の電気化学的製造

発明者： デボア, デビッド ディ ,  ミュッセル, ロバート ディ ,  スチーブンス, ジェームズ シー ,  ティマーズ, フランシス ジェイ
出願人/特許権者： ザ ダウ ケミカル カンパニー
代理人 (1件)： 斉藤 武彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-502785
公開番号（公開出願番号）：特表平8-500635
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】不活性電解条件下にシクロペンタジエニル金属錯体を電解して付加重合触媒として有用な4族金属錯体を製造する。

請求項（抜粋）：

式:(1) CpaZbM(IV)Xc+ Aー(但しCpはそれぞれ独立にMにπ-結合したシクロペンタジエニル基;該シクロペンタジエニル基のヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、ハロ、シアノ、又はハロヒドロカルビル置換誘導体;又はかかる置換シクロペンタジエニル基であって(ハロ又はシアノ以外の)2個のかかる置換基がいっしょになって多重環構造を形成しているものであり、該Cpは50以下の非水素原子を含有し且つ1より多いCpが存在するときは異なるCp基が連結基によって結合していてもよい; ZはCp及びM(IV)の両者に結合した2価の基であって、ホウ素、又は元素周期律表の14族の1員を有し、また所望により窒素、リン、硫黄又は酸素を有し、且つ30以下の非水素原子を有し、また所望によりCpとZはいっしょになって縮合環系を形成している; M(IV)は+4の酸化状態の4族金属であり; Xはそれぞれ独立にハイドライド;ハイドライド;又はヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、及びそれらの組合せから選ばれた共有結合した配位子基であり、該Xは50以下の炭素、ケイ素又はゲルマニウム原子をもち、またそれらの酸素、窒素、リン又は硫黄含有誘導体でもよい; aは1又は2; aが1のときbは0又は1、aが2のときbは0; cは1又は2; a+b+cの合計は3;そして A-は不活性、相溶性、非配位性アニオンである)に相当する金属錯体の製造法であって、 不活性、非配位性、電解条件下に、式: (la) CpaZbM(III)Xe又は (1b) CpaZbM(IV)Xc+1 (但しM(III)は+3の酸化状態の4族金属であり; Cp,Z,M(IV),X,a,b,及びcは前記定義のとおりである)に相当する少なくとも1の最初の錯体を電解して式(1)の錯体を生成せしめることを特徴とする金属錯体の製造法。

IPC (3件)：

C25B 3/12 ,  C08F 4/642 MFG ,  C08F 10/00