特許

J-GLOBAL ID：200903099898396195

化合物半導体装置の製造方法

発明者： 近藤 雅陽
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-023675
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231731
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 GaAs基板上に形成した素子を、溝を形成することによって分離し、且つPHS構造の金属層によってウェハ状態を保つ構造において、ウェハにそりが発生することの無い製造方法を提供する。【解決手段】 素子を形成した基板1表面のダイシングライン上に溝15を形成し、バックラップにより溝15の底面を露出させて各チップに分離する。PHS構造を形成し、且つ分離した各チップを連結する銅メッキ金属層10を銅メッキにより形成する。銅メッキ表面全面に金のフラッシュメッキ13を形成する

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板の主面に複数の回路素子を形成する工程、前記複数の回路素子を個々のチップに分割するダイシングライン上の基板表面をエッチングして溝を形成する工程、前記基板の主面を保持板に接着する工程、前記基板の裏面を前記溝が露出するまで削る工程、前記基板の裏面の全面に前記複数のチップを保持できるだけの厚みの熱伝導率の良好な金属材料を付着させる工程、前記金属材料の表面に貴金属を付着させる工程、前記基板を前記支持板から剥離し、前記溝に位置する前記金属材料をダイシングすることにより個々のチップに分割する工程とを具備することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/301 ,  H01L 29/861

FI (3件)：

H01L 29/80 G ,  H01L 21/78 L ,  H01L 29/91 F

Fターム (14件)：

5F102FA00 ,  5F102FA10 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ09 ,  5F102GL05 ,  5F102GS09 ,  5F102GV00 ,  5F102GV03 ,  5F102HC15 ,  5F102HC30