特許

J-GLOBAL ID：200903099900464438

半導体装置

発明者： 大西 茂夫 ,  石原 数也 ,  崎山 恵三
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-222928
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063205
出願日： 1991年09月03日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【構成】 基板(1)上に酸化膜(2)を介して電極(3)が積層され、さらにその上にPZT膜(4)が積層されてなる半導体装置(5)において、電極(3)が鉛を含有する白金よりなる半導体装置。【効果】 アニール処理時にPZT膜(4)からPbOの状態で揮発し、特に電極(3)/PZT膜(4)界面で不足していたPbを、鉛を含有する白金電極(3)によって電極(3)/PZT膜(4)界面に供給することができ、深さ方向に対して組成の均一なPZT膜(4)を作製することができる。従って、信頼性の高いPZT膜を形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に酸化膜を介して電極が積層され、さらにその上にPZT膜が積層されてなる半導体装置において、前記電極が鉛を含有する白金よりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 325 M