特許

J-GLOBAL ID：200903099901592260

半導体基板の電極及びその製造方法

発明者： 岡田 英生 ,  松井 美和
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 倉内 義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-336422
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141534
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】電極が形成された半導体基板の反りの状態を一定させる。【解決手段】シリコンウエハ1の裏面電極3が全面層31と各ストライプ部32からなる。ここで、裏面電極3が薄い程、裏面電極3の固化に伴う裏面電極3の収縮量が大きくなる。このため、裏面電極3の各ストライプ部32となるアルミニウムの金属ペーストを焼成し固化したときに、この裏面電極3(アルミニウムとシリコンの合金及びアルミニウムからなる)がシリコンウエハ1の縦方向よりも横方向で大きく収縮する。すなわち、シリコンウエハ1の反りの状態が一義的に決定する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた電極であって、電極は、相互に異なるそれぞれの厚みを有する少なくとも2種類の部分を含むことを特徴とする半導体基板の電極。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 31/04 ,  H01L 29/44 Z ,  H01L 29/46 L ,  H01L 29/46 Z

Fターム (26件)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB08 ,  4M104CC01 ,  4M104DD31 ,  4M104DD34 ,  4M104DD51 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF02 ,  4M104FF40 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F051BA11 ,  5F051DA03 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15 ,  5F051FA16 ,  5F051FA17 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03