画像検出装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-199568
公開番号（公開出願番号）：特開2009-038123
出願日： 2007年07月31日
公開日（公表日）： 2009年02月19日
要約：

【課題】感度安定性、残像特性を改善した画像検出装置を提供する。【解決手段】ガラス基板1上に、X線が照射されることにより電荷が発生する半導体膜6が形成されると共に、各々対向配置された2つの蓄積容量上部電極18、蓄積容量下部電極14を含み、半導体膜6に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の電荷蓄積容量5が半導体膜6とガラス基板1の間に形成されたTFTアクティブマトリクス基板10と、TFTアクティブマトリクス基板10のガラス基板1側の面に対して光を照射するバックライト40と、を備え、蓄積容量上部電極18、蓄積容量下部電極14は、半導体膜6の当該電荷蓄積容量5が形成された領域に対してバックライト40から所定強度以上の光が照射されるように形成した。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

光透過性を有する部材によって形成された基板上に、X線が照射されることにより電荷が発生する半導体層が形成されると共に、各々対向配置された2つの電極を含み、前記半導体層に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の蓄積部が前記半導体層と前記基板の間に形成されたセンサパネルと、前記センサパネルの前記基板側の面に対して光を照射するライトと、を備え、前記蓄積部の各電極は、前記半導体層の当該蓄積部が形成された領域に対して前記ライトから所定強度以上の光が照射されるように形成されたことを特徴とする画像検出装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 , H01L 27/14 , H01L 31/09 , G01T 1/24

FI (4件)：

H01L27/14 C , H01L27/14 K , H01L31/00 A , G01T1/24

Fターム (27件)：

2G088FF02 , 2G088GG21 , 2G088JJ09 , 2G088JJ31 , 4M118AA01 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA14 , 4M118CB05 , 4M118CB14 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB20 , 4M118FB23 , 4M118GA10 , 5F088AA09 , 5F088AB01 , 5F088AB05 , 5F088BA10 , 5F088BA20 , 5F088DA03 , 5F088EA04 , 5F088GA02 , 5F088KA08 , 5F088KA10 , 5F088LA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

放射線撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-198413 出願人：株式会社島津製作所

審査官引用 (6件)

アクティブマトリクス基板および電磁波検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-016754 出願人：シャープ株式会社, 株式会社島津製作所
アクティブマトリクス基板および電磁波検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-005051 出願人：シャープ株式会社, 株式会社島津製作所
特開平2-215168

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