特許
J-GLOBAL ID：200903099905762445

単分散ナノサイズ遷移金属クラスター集合体およびその製造方法

発明者：
隅山 兼治

隅山 兼治 について

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櫻井 雅樹

櫻井 雅樹 について

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鈴木 謙爾

鈴木 謙爾 について


出願人/特許権者：
東北大学長

東北大学長 について


代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-280466
公開番号（公開出願番号）：特開2000-096112
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月04日
要約：
【要約】【課題】 粒径が小さく、かつその分布幅が狭く、ガスとの接触面積が極めて大きい微粒子集合体であって、多孔質構造を有し、しかも優れた磁気特性および電気伝導性を有する単分散ナノサイズ遷移金属クラスター集合体を提供する。【解決手段】 不活性ガスをキャリアガスとして用いるプラズマ・ガス中凝縮クラスター堆積法により、単分散な遷移金属クラスターを生成したのち、それらをビーム状にして基板上に堆積・集合化する。
請求項（抜粋）：
プラズマ・ガス中凝縮クラスター堆積法によって得た均質微細な単分散遷移金属クラスターの集合体であって、多孔質構造になり、しかも優れた磁気特性および電気伝導性を有することを特徴とする単分散ナノサイズ遷移金属クラスター集合体。
IPC (2件)：
B22F 9/14 ,  C23C 14/32
FI (2件)：
B22F 9/14 Z ,  C23C 14/32 G
Fターム (13件)：
4K017AA02 ,  4K017CA08 ,  4K017DA02 ,  4K017EG01 ,  4K029BA06 ,  4K029BA07 ,  4K029BA09 ,  4K029BA12 ,  4K029BB07 ,  4K029BC03 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC32
引用特許：
審査官引用 (3件)

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