特許

J-GLOBAL ID：200903099911057940

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 黒田 淳 ,  大鹿 克志 ,  香山 聡
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063089
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267566
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体基板上に形成されたキャパシタのキャパシタ用絶縁膜を形成に高い温度を必要とする信頼性および機能性の高い絶縁膜で構成する。【構成】 化合物半導体からなる半導体基板1上に、エピタキシャル層からなる第1のキャパシタ電極2を形成し、その上にキャパシタ用絶縁膜3を形成し、さらにその上に第2のキャパシタ電極4を形成した。この場合、キャパシタ用絶縁膜3は、エピタキシャル層からなる第1のキャパシタ電極2上に形成するので、Si3 N4 膜等、形成に高い温度を必要とする信頼性および機能性の高い絶縁膜で構成することができる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に形成されたエピタキシャル層からなる第1のキャパシタ電極と、前記第1のキャパシタ電極上に堆積されたキャパシタ用絶縁膜と、前記キャパシタ用絶縁膜上に堆積された第2のキャパシタ電極とからなるキャパシタを有することを特徴とする半導体集積回路装置。