特許
J-GLOBAL ID：200903099912863923
電力用半導体装置の冷却構造
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-125875
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315757
出願日： 1999年05月06日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 電力用半導体装置を短絡させることなく、効率的に冷却することのできる半導体装置の冷却構造を提供すること。【解決手段】 バスバー上に電力用半導体装置を接合すると共に、前記電力用半導体装置を絶縁冷媒によって冷却するように構成する。また、バスバーの裏面に絶縁膜を形成すると共に、冷媒として冷却水を用いるように構成する。さらに、バスバーが、樹脂形成されたケースと一体に成形され、冷媒は冷却ジャケット内部を流れ、ケースは、突起部を有し、この突起部は前記冷却ジャケットと所定の隙間を有して、接続されるように構成する。
請求項（抜粋）：
電力用半導体装置とバスバーとを接続することによって所望の回路を構成し、前記電力用半導体装置を冷媒によって冷却する電力用半導体装置の冷却構造において、バスバー上に電力用半導体装置を接合すると共に、前記電力用半導体装置を絶縁冷媒によって冷却することを特徴とする電力用半導体装置の冷却構造。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/46 Z
, H05K 7/20 N
, H05K 7/20 P
5E322AA09
, 5E322AB08
, 5E322DA03
, 5E322FA01
, 5F036AA01
, 5F036BA05
, 5F036BA10
, 5F036BB41
, 5F036BC22
