特許
J-GLOBAL ID:200903099913818387
超電導磁石装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-129317
公開番号(公開出願番号):特開平9-289982
出願日: 1996年04月26日
公開日(公表日): 1997年11月11日
要約:
【要約】【課題】広い開口を備えると共に、強い磁場強度において高い均一度の磁場を得ることができ、かつ、外形が小型の超電導磁石装置を提供することを目的とする。【構成】冷却容器(4)に収容された超電導コイル(2)の周囲に強磁性体構造体(21)を配置し、撮影空間(7)に形成される磁場の中心軸(25)と直交する方向に開放面を有する超電導磁石装置(1)において、磁石の上下方向に配置した円板状強磁性体(21A)を接続、支持する柱状強磁性体(21B)の内側表面で、かつ、その中央部分付近(撮影空間(7)の外周部)に窪み(22)を設け、磁場の中心軸(25)と柱状強磁性体(21B)の内側表面までの距離が他の部分より遠くなるようにした超電導磁石装置。
請求項(抜粋):
超電導特性を有する物質から構成され、有限の領域に第1の方向に向かう均一磁場を発生させるための電流を流す磁場発生源と、該磁場発生源を超電導特性を示す温度まで冷却し、維持するための冷却手段と、前記磁場発生源を支持するための支持手段とを具備する超電導磁石装置において、前記磁場発生源は前記均一磁場領域を挾んで前記第1の方向に沿ってほぼ等距離に配置されたほぼ相似形状をした1対の磁場発生素子群から構成され、各磁場発生素子群は前記均一磁場領域の磁場の主成分を発生するために、前記第1の方向を中心軸とする円に沿う第2の方向に向かう電流を流す1個以上の第1の磁場発生素子と、前記均一磁場領域の磁場の均一度を改善するために前記第2の方向と同じ、又は逆向きの電流を流す1個以上の第2の磁場発生素子とから構成され、前記第2の磁場発生素子の直径は前記第1の磁場発生素子の外径よりも小さく、前記磁場発生素子群の各々の周囲を包囲するように1対の第1の強磁性体が配置され、該第1の強磁性体間を部分的に磁気的に接続し、その両端が前記第1の強磁性体の各々とほぼ同じ位置にある第2の強磁性体が前記第1の方向と平行に配置され、該第2の強磁性体の内側表面と前記均一磁場領域の中心を通り前記第1の方向に平行な中心軸との距離が、前記第1の強磁性体に近い位置の部分よりも、前記均一磁場領域の外周に近い位置の部分において遠くなっていることを特徴とする超電導磁石装置。
IPC (3件):
A61B 5/055
, G01R 33/3815
, H01F 6/00 ZAA
FI (3件):
A61B 5/05 331
, G01N 24/06 510 C
, H01F 7/22 ZAA A
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