特許
J-GLOBAL ID：200903099916518759
不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ消去方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-030293
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234388
出願日： 1992年02月18日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【構成】 フラッシュEEPROMにおいて、1回目のデータ一括消去時には、高圧Vppが一定の短い幅の消去パルスとしてメモリセルアレイ1に印加されるたびにすべてのメモリセルMCに対して消去ベリファイが行なわれ、2回目以降のデータ一括消去時には、前回のデータ一括消去に要した高圧Vpp印加時間に相当するパルス幅の消去パルスがまずメモリセルアレイ1に印加され、これによってすべてのメモリセルMCのデータが完全に消去されなかった場合にのみ、高圧Vppが一定の短い幅の消去パルスとしてメモリセルアレイ1に印加されるたびにすべてのメモリセルに対して消去ベリファイが行なわれるように、制御回路9が動作する。前回のデータ一括消去時におけるメモリセルアレイ1への高圧印加時間を記憶させるために、消去パルス数記憶回路13が設けられる。【効果】 従来のデータ消去方法による過消去抑制効果を維持しながら、2回目以降のデータ一括消去に要する時間を大幅に短縮することができる。
請求項（抜粋）：
電気的にデータを消去することが可能な複数の不揮発性メモリセルと、データ消去モードにおいて、前記所定の高電圧を連続的に、前記複数のメモリセルに一括して印加する高電圧印加手段と、前記高電圧印加手段を制御する制御手段と、前記複数のメモリセルの各々からデータが完全に消去されたことを検出する第1検出手段と、前記第1検出手段によって前記複数のメモリセルのデータが完全に消去されたことが検出されるまでの期間に、前記高電圧印加手段により前記複数のメモリセルに前記所定の高電圧が一括して印加された時間の延べの長さを検出する第2検出手段と、前記第2検出手段により検出された長さを記憶する記憶手段とを備え、前記制御手段は、前記記憶手段に記憶された長さだけ前記高電圧印加手段を能動化し、前記複数のメモリセルのデータが完全に消去されたことが前記第1検査手段によって検出されるまで、前記高電圧印加手段を一定時間ずつ繰返し能動化する、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 16/06
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 309 C
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
