特許

J-GLOBAL ID：200903099921508974

成膜除去方法

発明者： 渡辺 和幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-238708
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107053
出願日： 1994年10月03日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：

【要約】【目的】 オリエンテーションフラット部11を有するウエーハ10において、オリエンテーションフラット部11の外周縁に形成された成膜12を除去する。【構成】 オリエンテーションフラット部11を有するウエーハ10の外周縁に形成された成膜12を除去する成膜除去方法において、前記ウエーハ10をその中心点10Aを回転軸として回転させ、その外周縁に溶剤を塗布する段階と、前記ウエーハ10をその中心点10Aから前記オリエンテーションフラット部11に対して反対の方向に任意の距離だけずらした任意点10Bを回転軸として回転させ、その外周縁に溶剤を塗布する段階とを備える。

請求項（抜粋）：

オリエンテーションフラット部を有するウエーハの外周縁に形成された成膜を除去する成膜除去方法において、前記ウエーハをその中心点を回転軸として回転させ、その外周縁に溶剤を塗布する段階と、前記半導体ウエーハをその中心点から前記オリエンテーションフラット部に対して反対の方向に任意の距離だけずらした任意点を回転軸として回転させ、その外周縁に溶剤を塗布する段階とを備えたことを特徴とする成膜除去方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/30 577 ,  H01L 21/306 D