特許

J-GLOBAL ID：200903099925672680

絶縁膜の形成方法及び集積回路の製造方法

発明者： 高橋 正志 ,  永田 敏雄 ,  釼田 芳郎 ,  大迫 孝志 ,  森 浩高 ,  大原 昭彦 ,  内田 英次 ,  内田 博章 ,  吉田 勝治 ,  高橋 昌宏
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-205530
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023008
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜の自然成長を抑制し、自然放置による膜厚の成長を抑制し得る絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン結晶14の表面に所定の厚さ寸法の二酸化シリコン19を成長させた後、該二酸化シリコンの表面を水酸基を含まない有機ガス20あるいはアンモニアガス21に晒す。

請求項（抜粋）：

シリコン結晶上に二酸化シリコンから成る絶縁膜を形成する方法であって、シリコン結晶の表面に所定の厚さ寸法の二酸化シリコンを成長させること、該二酸化シリコンの表面を水酸基を含まない有機ガスに晒すことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651

Fターム (25件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF62 ,  5F058BF78 ,  5F058BH01 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ10 ,  5F083AD21 ,  5F083JA04 ,  5F083PR12 ,  5F140AA39 ,  5F140AB01 ,  5F140AB09 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD20 ,  5F140BE07 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BG28 ,  5F140BK13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置における絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-233800   出願人：富士通株式会社
• 被成膜面の改質方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-158712   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所