特許

J-GLOBAL ID：200903099927612951

磁性薄膜

発明者： 亀山 誠 ,  松島 正明 ,  柳 道男 ,  川上 良男 ,  高岡 智志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 卓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-210015
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066035
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 高飽和磁束密度であって耐食性および熱的安定性に優れ、磁気ヘッドのコア材料に好適な磁性薄膜を提供する。【構成】 スパッタリング装置の真空チャンバー2中でのスパッタリングにより基板4上に磁性薄膜を成膜する。ターゲット1として、Feターゲット上にCoチップと白金族元素の少なくとも1種のチップを置く。こうしてCo含有量が20〜60at%のFe-Co合金に白金族元素の少なくとも1種を0.1〜5at%添加した合金からなる磁性薄膜を成膜する。さらに、チャンバー2中にArガスとともにO2,N2,あるいはCH4ガスを導入してN,C,Oの少なくとも1種を薄膜に添加してもよく、FeターゲットにBを溶解して薄膜にBを添加してもよい。さらに、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,Wの少なくとも1種を添加してもよい。

請求項（抜粋）：

Co含有量が20〜60at%であるFe-Co合金に白金族元素のRu,Rh,Pd,Os,Ir,Ptの少なくとも1種を0.1〜5at%添加した合金からなることを特徴とする磁性薄膜。

IPC (2件)：

H01F 10/16 ,  C23C 14/14