特許
J-GLOBAL ID:200903099927892539

配線及びその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 土屋 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-251446
公開番号(公開出願番号):特開平8-088227
出願日: 1994年09月20日
公開日(公表日): 1996年04月02日
要約:
【要約】【目的】 接続孔における接触抵抗が低く且つエレクトロマイグレーション耐性が高い配線を形成する。【構成】 Al層11の上面にTi層12及びTiN層13を積層させると共にTi層24及びTiN層25から成る側壁をAl層11の側面に形成する。このため、接続孔16が位置ずれしても、接続孔16を埋めるTiN層17及びW層18のうちのTiN層17の形成に際して、絶縁性のAl3 N層がAl層11の側面に形成されるのを防止することができる。従って、接続孔16内における導通面積を広くすることができる。
請求項(抜粋):
第1の導電層上にこの第1の導電層とは異なる材料から成る第2の導電層が積層されており、前記第1の導電層の側面にこの第1の導電層とは異なる材料から成る第3の導電層が設けられていることを特徴とする配線。
IPC (2件):
H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (2件):
H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 B

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