特許

J-GLOBAL ID：200903099928091041

半導体装置の製造方法

発明者： 丸尾 豊
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 石井 康夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-308203
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211333
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板11の素子形成領域上に熱酸化によりゲート絶縁膜18を形成した後、ゲート電極層19を薄く形成し、次いで、MOSトランジスタの閾値電圧を調整するためのイオン21の注入を行ない、その後、薄く形成したゲート電極層の上に、所定の厚さとなるようゲート電極層19aを形成する。【効果】 半導体基板の素子形成領域上に熱酸化によるゲート絶縁膜の形成工程に続いて、ゲート電極層を形成するために、レジストの形成のパーティクルの付着を防ぎ、かつ、ゲート電極層をバッファ層として使用してMOSトランジスタの閾値電圧調整用のイオン注入を行なうことによって、イオン注入時に起こるゲート絶縁膜の損傷を防ぐことができ、MOSトランジスタのゲート絶縁膜の不良を低減でき、半導体装置として高信頼性のデバイスを供給することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の素子形成領域上に熱酸化によりゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層を所定の厚さよりも薄く形成する工程と、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極層とを通してイオン注入を行なう工程と、前記ゲート電極となる層の上に所定の厚さとなるようゲート電極層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-277770
  
• 特開昭61-220451
  
• 特開平2-278737
  
• 特開平2-224223