薄膜基板とその製造方法および薄膜基板上に形成された薄膜トランジスタとその製造方法及び液晶表示装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-122576
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335889
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】一枚の薄膜トランジスタ基板内にアモルファスシリコン薄膜トランジスタによる回路とポリシリコン薄膜トランジスタによる回路とを形成する。【構成】水素を含まないアモルファスシリコン層を形成後、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ形成領域2aには水素を注入して活性層とし、ポリシリコン薄膜トランジスタ形成領域3aはアモルファスシリコン層をレーザで熱処理してポリシリコン層として活性層とする。

請求項（抜粋）：

水素原子を含んだ薄膜アモルファスシリコン層が形成されている第1の領域と、水素原子を含まない薄膜ポリシリコン層が形成されている第2の領域とを同一基板上に備えたことを特徴とする薄膜基板。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 A , H01L 29/78 311 Y

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