半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237341
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082956
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】トレンチ分離を用いたMISFETにおいて、ゲート絶縁膜前処理のため素子分離絶縁膜が半導体領域よりもエッチングされ低くなってしまうのを防ぎ、半導体領域の角部分のしきい値が低下した寄生トランジスタの影響を低減する。【解決手段】半導体基板の素子分離領域にトレンチを形成し、このトレンチで分離された素子領域にMISFETを設けた半導体装置において、トレンチの側面及び底部にバッファ絶縁膜4を介して形成されたエッチングストッパ絶縁膜2と、トレンチ内に埋め込み形成された素子分離用絶縁膜3とを具備し、絶縁膜2は半導体基板1の上面より高い位置まで形成され、絶縁膜4の厚さはMISFETのゲート絶縁膜の厚さ以下に設定されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の素子分離領域にトレンチを形成し、該トレンチで分離された素子領域にMISFETを設けた半導体装置において、前記トレンチの少なくとも側面に形成された第1の絶縁膜と、前記トレンチ内に埋め込み形成された第2の絶縁膜とを具備し、第1の絶縁膜は前記半導体基板の上面と等しい又は前記半導体基板の上面より高い位置まで形成され、第1の絶縁膜と前記半導体基板との距離は前記MISFETのゲート絶縁膜の厚さ以下に設定されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 29/78 301 R , H01L 21/76 L

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭61-187344
特開昭61-187344
特開平2-054557

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