特許
J-GLOBAL ID：200903099933456678

半導体装置とその製造方法

発明者：
田村 直義

田村 直義 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038031
公開番号（公開出願番号）：特開平7-247197
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、半導体素子を形成するシリコン基板の表面に格子間酸素や汚染物質が少ない層を形成し、このシリコン基板を熱酸化して形成したゲート絶縁膜の質を向上する方法を提供する。【構成】 希釈されない水素等の強還元性雰囲気中でシリコン基板を加熱する工程を含む半導体装置の製造方法において、シリコン基板を切り出すシリコン単結晶をチョクラルスキ法によって種結晶をrpmより遅くして引き上げ、坩堝から浸出する酸素等の、成長過程でシリコン単結晶中に混入する外因性でない不純物の濃度を1.5×1018個/cm3 以上にする。シリコン基板を切り出すシリコン単結晶をチョクラルスキ法によって0.8mm/min以上の引き上げ速度で成長させ、あるいは、引き上げた後に、1300°C以上の温度に保持される時間を60分以内に抑えることによっても同様の効果を生じる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板を切り出すシリコン単結晶を成長する過程でシリコン単結晶中に混入する外因性でない不純物の濃度を1.5×1018個/cm3 以上にし、強還元性雰囲気中で該シリコン基板を加熱する工程を経て製造されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
C30B 29/06 ,  C30B 15/00 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/322
引用特許：
審査官引用 (9件)
  • 特開平1-148800
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-071686   出願人：株式会社東芝
  • 特開昭62-105998
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