特許

J-GLOBAL ID：200903099933723315

半導体レーザの製造方法

発明者： 宮坂 文人
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-038246
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252507
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 量子井戸活性層または多重量子障壁層を有するAlGaInP半導体レーザにおいて、量子井戸層、多重量子障壁層の層厚揺らぎを低減し、閾値電流の低減、信頼性の向上を図る。【構成】 半導体基板面方位が(001)より[1,1,0]または[-1,-1,0]方向に2 ゚から13 ゚傾いた傾斜基板1を用いた量子井戸活性層3を有するAlGaInP半導体レーザのMOVPE法による製造方法において、AlGaInP結晶成長時にV族材料であるPH3を800°C以上で且つ基板に供給到達する前にクラッキングする。800°C以上でクラッキングを行うことによりPH3が分解され、Pの基板への供給量が増え、ステップバンチングが低減し、均一なステップフロー成長により量子井戸層の平坦化が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板面方位が(001)より[1,1,0]または[-1,-1,0]方向に2 ゚から13 ゚傾いた傾斜基板上に、(AlxGa1-x)yIn1-yPからなる第1クラッド層、活性層および第2クラッド層を順次に形成してなり、前記活性層が量子井戸構造を有する半導体レーザのMOVPE法による製造方法であって、(AlxGa1-x)yIn1-yP結晶成長時のV族原料であるホスフィン(PH3)を少なくとも800°C以上で且つ基板に供給到達する前にクラッキングしたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-238024