特許

J-GLOBAL ID：200903099947249098

強誘電体単結晶薄膜の製造方法及び強誘電体単結晶薄膜

発明者： 川口 竜生 ,  今枝 美能留
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087901
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281498
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】 少なくとも1種の元素が添加されることによってステップインデックス型の光導波路が形成された強誘電体単結晶薄膜の、新たな製造方法を提供する。【解決手段】 強誘電単結晶基板上に、液相エピタキシャル法によって少なくとも1種の元素が添加された強誘電体単結晶薄膜を形成した後、(1)前記元素が前記強誘電体単結晶内へ拡散するのを防止するための、好ましくは50〜2000°C/分の冷却速度の急速冷却工程で、前記強誘電体単結晶薄膜を好ましくは500〜700°Cまで冷却した後、(2)前記強誘電体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させるための、好ましくは0.01〜5°C/分の冷却速度の徐冷却工程で、前記強誘電体単結晶薄膜を室温まで冷却する。

請求項（抜粋）：

強誘電単結晶基板上に、液相エピタキシャル法によって少なくとも1種の元素が添加された強誘電体単結晶薄膜を製造する方法であって、前記液相エピタキシャル法によって前記強誘電体単結晶薄膜を前記強誘電体単結晶基板上に形成した後、(1)前記元素が前記強誘電体単結晶内へ拡散するのを防止するための急速冷却工程と、(2)前記強誘電体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させるための徐冷却工程との2段階の冷却工程によって、前記強誘電体単結晶薄膜を冷却することを特徴とする、強誘電体単結晶薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/30 ,  H01B 3/12 312

FI (2件)：

C30B 29/30 C ,  H01B 3/12 312

Fターム (21件)：

4G077AA03 ,  4G077BC36 ,  4G077BC37 ,  4G077CG02 ,  4G077FE13 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303BA05 ,  5G303CA01 ,  5G303CB11 ,  5G303CB13 ,  5G303CB16 ,  5G303CB17 ,  5G303CB21 ,  5G303CB23 ,  5G303CB33 ,  5G303CB35 ,  5G303CB38 ,  5G303CB43 ,  5G303DA01