特許
J-GLOBAL ID：200903099951510647
シリコン製被加工物への微細パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 良平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-365592
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168682
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】【課題】 シリコン製被加工物の表面にシリコン酸化物の微細パターンを形成する方法において、低電圧でも酸化物を生成でき、微細パターン以外の部分でのシリコンの酸化が起こりにくく、探針による陽極酸化の際には同探針の摩耗が起こりにくいようにする。【解決手段】 シリコン基板10の表面を水素終端処理することによって同表面を水素原子13の膜で被覆し、その水素原子13を有機分子で置換することにより有機化合物の単分子膜16を形成する。有機分子としては、例えば1-アルケンのように、末端に炭素原子の二重結合を有するものを用いる。
請求項（抜粋）：
シリコン製被加工物の表面に水素終端処理を施す水素終端処理工程、前記水素終端処理された表面の水素原子を、末端に炭素原子の二重結合を有する有機分子で、前記末端の炭素原子がシリコン原子と共有結合するように置換することにより、前記シリコン製被加工物の表面に有機化合物の単分子膜を形成する膜形成工程、及び、前記単分子膜を通じて前記シリコン製被加工物の表面にシリコン酸化物の微細パターンを形成するパターン形成工程を備えることを特徴とするシリコン製被加工物への微細パターンの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316
, B82B 3/00
, C25D 11/00 308
, H01L 21/027
, G01N 13/16
H01L 21/316 T
, B82B 3/00
, C25D 11/00 308
, G01N 13/16 A
, H01L 21/30 502 D
