特許

J-GLOBAL ID：200903099954394150

半導体受光素子

発明者： 山口 武治 ,  横内 則之 ,  二ノ宮 隆夫
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-004443
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200150
出願日： 1997年01月14日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体受光素子の出力信号の歪みを所定レベル以下に抑えつつ、その入射光パワーのダイナミックレンジを拡げる。【解決手段】 半導体受光素子の光吸収層12は、光導波路構造に形成され、光伝播方向に分割された複数の信号電極191、192を有する。光通信システムの各受信局に設置される半導体受光素子の設計を共通にしつつ、各受信局毎に異なる入射光パワーレベルにも拘らず、受光素子で電気信号に変換される信号レベルを所定範囲内に保つことで、出力信号の歪みを所定範囲内に抑える。

請求項（抜粋）：

信号光が入射する光入射端を有し光導波路として構成される光吸収層を備えた半導体受光素子において、光導波路の光伝播方向に順次に配列された複数の信号電極を備え、該各信号電極に対応する各光吸収層部分から夫々信号の取出しを可能としたことを特徴とする半導体受光素子。

IPC (5件)：

H01L 31/10 ,  G02B 6/42 ,  H01L 27/15 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02

FI (4件)：

H01L 31/10 A ,  G02B 6/42 ,  H01L 27/15 C ,  H04B 9/00 W