特許
J-GLOBAL ID：200903099956301736

多層配線構造の形成方法

発明者：
萩原 嘉男

萩原 嘉男 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小山 有 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241887
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077410
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 SOG膜のSi原子と有機基(例えばCH3基)やH基の結合がアッシング時に切れるのを抑制して誘電率を低く抑える。【解決手段】 低誘電率の有機又は無機SOG膜にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って配線溝を形成し、この後、枚葉式ダウンストリーム型のプラズマアッシング装置を用いて、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を例えば1.2Torrの圧力雰囲気下で施してレジスト膜を除去し、この後配線溝にバリヤメタル形成後、Cuを電界メッキ法にて埋設して配線を形成する。
請求項（抜粋）：
誘電率3.5以下のシリカ系層間絶縁膜にレジストマスクを介してエッチングを行って配線溝またはビアホールを形成し、この配線溝またはビアホールに導電体を埋め込むようにした多層配線構造の形成方法において、前記レジストマスクに対し、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を0.01Torr〜30.0Torrの圧力雰囲気下で施すようにしたことを特徴とする多層配線構造の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/88 K ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/90 A
Fターム (23件)：
5F004AA08 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EB03 ,  5F033AA05 ,  5F033AA06 ,  5F033AA13 ,  5F033AA64 ,  5F033AA66 ,  5F033BA12 ,  5F033BA17 ,  5F033BA37 ,  5F033EA05 ,  5F033EA06 ,  5F033EA19 ,  5F033EA25 ,  5F033FA03 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH07 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (12件)
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