特許

J-GLOBAL ID：200903099956636509

高低抗炭化ケイ素の製法

発明者： ニーマン,エッケハルト ,  シュナイダー,ユールゲン ,  ミュラー,ハラルト ,  マイアー,カーリン
出願人/特許権者： ダイムラー-ベンツ アクチエンゲゼルシャフト ,  フラウンホーファー-ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー.ファウ.
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-505534
公開番号（公開出願番号）：特表平9-500861
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】本発明の目的は、低抵抗出発材料から高抵抗SiCを製造する方法である。これは、有力な窒素-不純物の浅いドナー準位を3価の元素の添加により過剰補償し、その際に、このドーピングを、伝導タイプをn-伝導からp-伝導に変える濃度でSiC中に組み込み、かつ更に、SiC中のその禁制帯のほぼ中央にドナー準位を有する遷移金属元素を添加し、それによって、過剰のアクセプタ準位が再び補償されるので、より高い比抵抗が得られることよりなる。

請求項（抜粋）：

低抵抗出発材料からの高抵抗SiCの製法において、有力な窒素-不純物の浅いドナー準位を浅いアクセプタ準位を有する3価の元素の添加により過剰補償し、その際に、このドーピングを、伝導タイプをn-伝導からp-伝導に変える濃度でSiC中に組み込み、かつ更に、SiC中のその禁制帯のほぼ中央にドナー準位を有する遷移金属元素を添加し、それによって、過剰のアクセプタ準位が再び補償されるので、より高い比抵抗が得られることを特徴とする、高抵抗SiCの製法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/161

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/322 K ,  H01L 29/163

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-253622
  
• 特開平2-291123
  
• 特表平2-503193