特許

J-GLOBAL ID：200903099956891452

磁気ひずみ応力センサー

発明者： ファン デル ザーフ ピーター イェー ,  ソメルス ヘラルダス ハー イェー
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-544446
公開番号（公開出願番号）：特表2001-523348
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2001年11月20日
要約：

【要約】磁気ひずみ応力センサーが粒状構造を有する軟強磁性体を設けられ、少なくともその粒状の一部は1ドメイン状態と2ドメイン状態との間の遷移領域における粒子サイズを有している。フェライト体に対する1〜9μmの程度のものであるこの粒子サイズにおいては、比較的大きい磁気ひずみ効果が生じる。実際の態様においては、強磁性体がフェライトコア、詳細にはフェライトリングにより形成され、少なくともそれの一部の周りに電気コイルが巻かれ、そのコイルはそのフェライトコア上に及ぼされる機械的圧力の影響のもとで、そのコイルの自己誘導の変化を測定するための測定回路に組み込まれている。

請求項（抜粋）：

軟強磁性体を設けられている磁気ひずみ応力センサーにおいて、 前記強磁性体が、粒子の少なくとも一部が1ドメイン状態と2ドメイン状態 との間の遷移領域内の粒子サイズを有していることを特徴とする磁気ひずみ応 力センサー。

IPC (3件)：

G01L 1/12 ,  G01B 7/24 ,  H01L 41/12

FI (3件)：

G01L 1/12 ,  G01B 7/24 ,  H01L 41/12