特許
J-GLOBAL ID：200903099961701220
固体撮像装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-057840
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259423
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 水平CCDシフトレジスタ部のゲート電極のゆらぎを抑制することにより、FPNの発生を防ぎ、低電圧駆動を可能とする。【構成】 塩素系ガスおよび臭素系ガスの混合ガスにより多結晶シリコン膜を異方性エッチングして、ゲート電極1,2をパターン形成する工程を少なくとも有する構成よりなり、この構成により、多結晶シリコン膜のエッジ部側壁に反応生成物が適度に付着し、エッチングが滑らかに一様に進行する。
請求項（抜粋）：
塩素系ガスおよび臭素系ガスの混合ガスにより多結晶シリコン膜を異方性エッチングして、ゲート電極をパターン形成する工程を少なくとも有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
