半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：板垣孝夫 , 森本義弘 , 笹原敏司 , 原田洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-283174
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103433
出願日： 2006年10月18日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】複数の半導体装置をストリートで区画して形成したウエハを半導体装置に個片化する際の生産性を向上するとともに、汚染や表面改質等による品質の低下を抑制する。【解決手段】ウエハ1の素子形成面にストリート領域外を被覆するレジスト11を形成する工程と、ウエハ1をレジスト11側からプラズマエッチングして前記ストリート領域に溝4を形成する工程と、ウエハ1からレジスト11を除去する工程と、ウエハ1を溝4内にてダイシングブレード13で切削して個々の半導体装置5に分割する工程とを行う。プラズマによる溝形成と切削とを併用するので、プラズマのみで個片分割を行う従来法や、レーザーにてストリート毎に2本の溝を形成する従来法に比べて、生産性を向上できる。プラズマによる溝4はテーパー形状で、切削屑の排出効率がよく、切削屑による汚染や品質低下を抑えられる。プラズマのみでの分割に比べて加工部の発熱、改質を抑えられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の半導体装置をストリートによって区画して形成したウエハを個々の半導体装置に分割する際に、前記ウエハの素子形成面に前記ストリート領域以外を被覆するレジスト層を形成するレジスト被覆工程と、前記ウエハを前記レジスト層側からプラズマにてエッチングして前記ストリート領域に溝を形成する溝形成工程と、前記溝が形成された前記ウエハから前記レジスト層を除去するレジスト除去工程と、前記ウエハを前記溝内にてダイシングブレードで切削して前記半導体装置に分割する分割工程とを行う半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (3件)：

H01L21/78 S , H01L21/78 L , H01L21/78 Q

引用特許：

出願人引用 (1件)

ウェーハの分割方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-302864 出願人：株式会社ディスコ

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