特許
J-GLOBAL ID：200903099979846314
光検出素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044453
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 必要とする電極面積を減らして、検出感度を向上させることができる光検出素子を提供する。【解決手段】 GaAs基板10上に第1の多重量子井戸構造12が形成されている。第1の多重量子井戸構造12は、AlGaAs障壁層とGaAs井戸層が交互に積層されて多重量子井戸を形成している。GaAs障壁層には不純物がドーピングされていない。第1の多重量子井戸構造12上には、第2の多重量子井戸構造14が形成されている。第2の多重量子井戸構造14は、AlGaAs障壁層とGaAs井戸層が交互に積層されて多重量子井戸を形成している。GaAs障壁層には不純物がドーピングされている。
請求項（抜粋）：
不純物が導入されている第1の量子井戸層を有し、第1の波長の光を吸収する第1の量子準位を有する第1の量子井戸構造と、前記第1の量子井戸構造に積層され、不純物が導入されていない第2の量子井戸層を有し、前記第1の波長と異なる第2の波長の光を吸収する第2の量子準位を有する第2の量子井戸構造とを有することを特徴とする光検出素子。
Fターム (11件)：
5F088AB07
, 5F088BA01
, 5F088BA03
, 5F088BB03
, 5F088BB06
, 5F088DA01
, 5F088EA04
, 5F088FA09
, 5F088GA05
, 5F088LA01
, 5F088LA09
