特許

J-GLOBAL ID：200903099984976889

シクロヘキシリデンアミンのcis-選択的接触水素化方法

発明者： シュタイナー,ハインツ ,  ベンツ,マルクス ,  ジャレット,ハンス-ペーター ,  トーメン,マルク
出願人/特許権者： チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディング インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 津国 肇 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-536684
公開番号（公開出願番号）：特表2002-506844
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2002年03月05日
要約：

【要約】本発明は、環状イミン又はその前駆体の還元的アルキル化によるセルトラリン型の環状アミンのcis-選択的製造のため、及び銅含有触媒の存在下での接触水素化のための方法に関する。

請求項（抜粋）：

式(I):【化1】〔式中、R1及びR2は、相互に独立に、炭化水素基であり、そしてAは、置換基であり、そしてmは、0〜4の整数であり、かつ置換基Aの数を規定している〕で示される化合物の製造方法であって、 a)式(II):【化2】〔式中、nは、0又は1であり、そしてR1、R2、A及びmは、前記と同義である〕で示されるシクロヘキシリデンアミンを、銅含有触媒の存在下で水素化するか;又は b)式(III):【化3】〔式中、R2、A及びmは、前記と同義である〕で示されるケトンを、R1-N→(O)n基を導入する化合物と反応させ、中間体として得られるイミン若しくはニトロン(II)を、銅含有触媒の存在下で水素化し、 そしてcis-化合物(I)を単離することを含む方法。

IPC (2件)：

C07C209/52 ,  C07C211/60

FI (2件)：

C07C209/52 ,  C07C211/60

Fターム (16件)：

4H006AA02 ,  4H006AC52 ,  4H006AC59 ,  4H006AC81 ,  4H006BA05 ,  4H006BA07 ,  4H006BA09 ,  4H006BA14 ,  4H006BA30 ,  4H006BA31 ,  4H006BA70 ,  4H006BE20 ,  4H006BJ50 ,  4H006BM30 ,  4H006BM72 ,  4H006BU44

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭56-086137
  
• 特表平6-509079
  
• 特開昭56-086137
  
• 特表平6-509079
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Journal of Molecular Catalysis, 1993, Vol.84, p.125-129