特許
J-GLOBAL ID：200903099987877679
シクロデキストリン残基を有する含フツ素高分子化合物と超薄膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院化学技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190568
公開番号（公開出願番号）：特開平5-007747
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：
【要約】【目的】含フッ素基とシクロデキストリンを含む新規な超薄膜材料を提供する。【構成】【化3】(Rf;C<SB>6</SB> 〜C<SB>15</SB>のペルフルオロアルキル基、m;10〜1500、n;0<n≦0.4m)で表される含フッ素高分子を【化4】(k;5〜8)で表される化合物の水溶液上に展開することにより【化1】(p;0<p≦m-n)で表される含フッ素高分子のラングミュア・ブロジェット膜が得られる。この膜の表面には含フッ素基が存在し、高分子中のRf基の修飾率及び【化4】水溶液の濃度を変えることにより、含フッ素基の配列を変えることができる。【効果】この高分子超薄膜は優れた低表面エネルギー性を示す。しかもこの膜は、シクロデキストリンの包接作用により他の化合物を膜中に取り込むことができる。このため、この膜は表面改質物質として用いることができる。
請求項（抜粋）：
一般式(I)【化1】(式中、Rfは炭素数6〜15のペルフルオロアルキル基を示し、mは10〜1500の数を示し、nは0<n≦0.4mを満たす数であり、pは0<p≦m-nを満たす数であり、kは5〜8の数である。)で表わされる含フッ素高分子化合物。
IPC (3件)：
B01D 71/32
, B01D 71/08
, C08F 8/34 MHQ
