特許

J-GLOBAL ID：200903099998928747

半導体レーザ装置

発明者： 松本 晃広 ,  大林 健
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-018476
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232512
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 レーザ発光の閾値電流を低減して、消費電流を低減できる半導体レーザ装置を提供する。【構成】 この半導体レーザ装置は、活性層102がp型クラッド層103,104とn型クラッド層101とで挟まれている。p型クラッド層103は、活性層102に近接している高キャリア濃度部である。p型クラッド層104は、p型クラッド層103よりも活性層102から離隔していると共に、p型クラッド層103よりもキャリア濃度が低い低キャリア濃度部である。p型クラッド層103が活性層102からの電子の漏れ出しを防止し、p型クラッド層104では電流の広がりが抑えられる。

請求項（抜粋）：

活性層がp型クラッド層とn型クラッド層とで挟まれた半導体レーザ装置において、上記p型クラッド層は、上記活性層に近接している高キャリア濃度部と、この高キャリア濃度部よりも上記活性層から離隔していると共に、上記高キャリア濃度部よりもキャリア濃度が低い低キャリア濃度部とを含んでいることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-225490
  
• 特開昭63-088820
  
• 特開平2-033990
  
• 特開昭63-090186