研課題
J-GLOBAL ID:200904000504953970  研究課題コード:0550031754 更新日:2005年12月09日

光デバイス作製に関する研究

実施期間:1996 - 0
研究概要:
三元混晶半導体の良質な薄膜成長技術の開発と光デバイス作製に関する研究である。 薄膜成長技術として、(1)電流制御液相成長法、(2)マスク付き基板上への選択成長法、(3)ホットウォール法によるバッファー層の効果等を調べている。光デバイスとしては、熱光発電デバイスと中赤外線検出器の作製に取り組んでいる。熱光発電システムは、1,000~2,000Kに加熱したエミッターからの輻射を、その輻射波長ピークに感度の整合した光電変換半導体セルで受けて、電力に変換する固体素子発電システムである。本研究は、InxGa1-xSbやInxGa1-xAsをベースとする高品質な光電変換半導体セルを作製し、さらにこれに波長整合する新しい選択エミッターを開発することで、高効率の熱光発電システムを構築する。また、中赤外領域で動作するデバイス材料として有望なInAsxSb1-x結晶をホットウォール法により成長させ、光検出器を作製する。
キーワード (5件):
三元混晶半導体 ,  電流制御液相成長法 ,  選択成長法 ,  熱光発電デバイス ,  中赤外線検出器
プロジェクト名: 光デバイス作製に関する研究
プロジェクト実施機関 (1件):
  • 静岡大学電子工学研究所
プロジェクト代表研究者 (1件):
  • 早川 泰弘 (静岡大学電子工学研究所)
研究制度: 経常研究
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
研究予算: 2004年度: 30,000(千円)

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