研課題
J-GLOBAL ID:200904002195826732  研究課題コード:9800005876 更新日:2004年02月07日

AgGaS2化合物半導体の結晶成長と格子欠陥制御

Crystal growth and lattice defect control of AgGaS2 compound semiconductor
実施期間:1987 - 1997
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (2件):
研究概要:
カルコパイライト型化合物半導体AgGaS2は直接遷移型のバンド構造(4.2KのA価電子帯に対する禁制帯巾2.73eV)をもち青色発光材料として期待される。しかしこれまでは実用化のため不可欠な単結晶作成及び格子欠陥の評価と制御など基礎的であるが重要な面の知見に乏しかった。本研究ではこれらの点を考慮し,完全度の高いAgGaS2単結晶の作製を試み,得られた試料について光電的測定などを行うことによって格子欠陥の評価と制御を進めることを目的とする
キーワード (10件):
化合物半導体 ,  銀化合物 ,  ガリウム化合物 ,  結晶成長 ,  格子欠陥 ,  発光 ,  単結晶 ,  光電的測定 ,  硫化物 ,  バンド構造
研究制度: 補助金
研究予算: 1997年度: 50(千円)

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