研課題
J-GLOBAL ID:200904003792147249  研究課題コード:1731 更新日:2013年10月07日

230-350nm帯InAlGaN系深紫外高効率発光デバイスの研究

実施期間:2007 - 2012
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
波長が230-350nm帯の深紫外高輝度LED・深紫外半導体レーザーは、医療、殺菌・浄水、生化学産業、高演色LED照明、高密度光記録、公害物質の高速浄化、各種情報センシング等の幅広い分野への応用が考えられ、その実現が大変期待されています。本研究では深紫外発光素子実現のため、窒化物InAlGaN系半導体の結晶成長技術を開拓し、230-350nm帯深紫外高効率LED、半導体レーザーを実現します。
研究制度: 戦略的創造研究推進事業(チーム型研究)
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
研究予算: 0(千円)
上位研究課題 (1件):

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