研課題
J-GLOBAL ID:200904004283406533  研究課題コード:0250005421 更新日:2005年01月17日

PSII表層改質技術の高度化のための高密度プラズマおよび大気圧プロセスの開発

Development of a process of high-density plasma and atmospheric pressure plasma for surface modification by plasma source ion implantation
実施期間:2001 - 2003
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
プラズマソースイオン注入(PSII)法は3次元立体物表面,多数個同時処理が可能なイオン注入表層改質法である。本研究では,PSII法を基本原理とした新たな表層改質プロセスを開発し,ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜などの作製に用い,産業への応用化を図るものである。
キーワード (6件):
プラズマソースイオン注入 ,  イオン注入 ,  薄膜 ,  ダイヤモンドライクカーボン ,  プラズマ ,  大気圧プラズマ
プロジェクト実施機関 (1件):
  • (E512000000)
研究制度: 経常研究

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