研課題
J-GLOBAL ID:200904005153547085  研究課題コード:9800037639 更新日:2001年03月30日

Sb-Sn-O系薄膜の薄膜抵抗素子への応用

Application of Sb-Sn-O thin films to a thin film resistor
実施期間:1996 - 1998
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (4件):
研究概要:
Sb-Sn-O系薄膜は構造の違いによって電気的,光学的性質が著しく異なる。すなわち,結晶質状態にある薄膜は黒色の電気伝導体で,非晶質状態にある薄膜は無色透明の絶縁体である。そこで非晶質薄膜にレーザビームを照射すると照射された部分のみ結晶化され,結果として黒色と透明のコントラストをなすパターンを作り出すことができる。このようにして作られたパターンは電気伝導体と絶縁体とが混在したもの,すなわち薄膜抵抗体と見なすことができる。本研究ではこの応用をめざして,非晶質,結晶質及び非晶質から結晶化した薄膜の構造及び電気的性質について詳細に検討する。
キーワード (6件):
アンチモン化合物 ,  すず化合物 ,  酸化物 ,  金属薄膜 ,  レーザ照射 ,  電気抵抗材料
研究制度: 経常研究
研究予算: 1996年度: 100(千円)

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