研課題
J-GLOBAL ID:200904011064322150  研究課題コード:0450021756 更新日:2004年01月19日

0.5V動作超低消費電力VLSIデバイスに関する研究

Study on very low power consumption VLSI device operated at 0.5V
実施期間:2002 - 2002
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (2件):
研究概要:
携帯機器の普及により,VLSIチップの低消費電力化は必須の課題である.本研究は,0.5Vという低電圧で動作し,超低消費電力と高駆動力を両立させるデバイスを実現することを目的とする.今年度は,しきい値電圧をダイナミックに制御できるVariable Threshold Voltage CMOS(VTCMOS)に加えて,Drain Induced Barrier Lowering(DIBL)によるスタンバイ電力低減手法について検討した.MOSFETに印加するドレイン電圧が下がるとDIBLが緩和されしきい値電圧が上昇する.したがってスタンバイ時に電源電圧を下げれば,スタンバイ電力を大幅に削減することが可能となる.本方式で最も効果的に電力を削減できる最適デバイスについて検討し,最適デバイスを決定する臨界電圧が存在することを明らかにした.一方,ドレイン電流のゲート電圧依存性のモデリングなどの研究も行っている.

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