研課題
J-GLOBAL ID:200904025320600628  研究課題コード:9800029814 更新日:2006年03月14日

カルコパイライト半導体薄膜の作製と物性の研究

Study on growth and physical properties of chalcopyrite semiconductor thin film
実施期間:1994 - 1994
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
カルコパイライト型半導体の単結晶薄膜を分子線エピタキシャル成長法によって、結晶成長時に各種のパラメータを制御して作製し、その結晶学的性質、電気的性質及び光学的性質を明らかにする。また、太陽電池の基本的要素であるヘテロ接合界面について理想的な接合を形成するための、基本的技術を開発する
キーワード (5件):
半導体薄膜 ,  薄膜成長 ,  単結晶 ,  エピタクシー ,  ヘテロ接合
研究制度: 科学技術振興調整費による重点基礎研究
研究所管省庁:
経済産業省
研究予算: 1994年度: 7,984(千円)

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