研課題
J-GLOBAL ID:200904025382944420  研究課題コード:9910002382 更新日:2004年12月10日

中赤外線デバイス用高品質半導体の結晶成長

Growth of high quality semiconductor layers for mid-infrared devices
実施期間:1992 - 2003
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (3件):
研究概要:
溝を形成させた基板上へ混晶薄膜を液相成長法とホットウォール法により成長させ,溝構造が格子緩和に及ぼす効果を調べる。また数値解析により,ミスフィット転位の少ない最適な溝構造を解析する
キーワード (8件):
,  基板 ,  固溶体 ,  金属薄膜 ,  液相成長 ,  数値計算 ,  不整合転位 ,  気相成長
研究制度: 経常研究

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