研課題
J-GLOBAL ID:200904026298498829  研究課題コード:6000000923 更新日:2007年05月14日

照射誘起欠陥を利用した半導体中の軽元素不純物評価

実施期間:0 - 0
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (5件):
研究分野 (1件): その他
研究概要:
放射線照射によって発光が活性化される現象を利用し,高精度なフォトルミネッセンス(PL)測定により,半導体中の軽元素不純物を解析することを目的としている.SOI(silicon-on-insulator)ウエハーに電子線を照射して誘起された発光センターを,紫外光励起による低温PLスペクトル測定にて検出することにより,極薄top Si層中の酸素,炭素不純物を評価することができた.また,この方法によりウエハーの場所や製法による軽元素不純物の違いや分布を示した.さらに,Xeイオン注入を用いて発光センターの導入領域を制御することにより,極薄SOI層の評価が可能であることを確認した.
研究制度: -

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