研課題
J-GLOBAL ID:200904027679136725  研究課題コード:9800046588 更新日:2004年03月31日

GaN系短波長半導体レーザの製造技術

実施期間:1992 - 1998
研究概要:
結晶成長技術、電子線照射等の基本技術の検討を行った後、半導体レーザ素子の試作を行って、 GaN系半導体レーザ素子の製造技術を確立する。
研究制度: その他の研究制度
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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