研課題
J-GLOBAL ID:200904031252484304  研究課題コード:0550028538 更新日:2005年03月23日

SOIウエハーの光学的評価の研究

実施期間:0 - 0
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (4件):
研究概要:
シリコン層の厚さが0.05-0.2μm程度の極薄膜SOI(silicon-on-insulator)ウエハー中の欠陥,不純物,および界面の評価を行うことを目的とし,同ウエハーの紫外線励起により発生する凝縮ルミネッセンスを利用した評価手法を開発している.今年度は最先端口径の200mm SOIウエハーを各メーカーより購入し,上記のフォトルミネッセンス(PL)法およびマイクロ波光導電減衰法により詳細なウエハーマッピングを行い,ウエハーの不均一性を調べた.その結果,両手法で極めてよく対応する各種製法に特有の不均一パターンが顕在化された.さらに顕微PLマッピング測定により,一部のウエハーではマイクロ・ボイド欠陥が検出された.一般に,数年前に製造されたウエハーと比べ最新のものでは,不均一性や微小欠陥は大幅に減少している.これらにより本研究で開発したPLマッピング装置の有効性が実証され,同装置は商品化されることとなっている.なお本手法は,次世代の高速素子用材料として有望視されている歪みSiウエハーの評価としても有効と考えられ,国内外のウエハー製造機関と共同研究を開始している.
プロジェクト実施機関 (1件):
  • (A089001000)

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