研課題
J-GLOBAL ID:200904032310435315  研究課題コード:6000000041 更新日:2008年12月16日

半導体製造技術開発

実施期間:0 - 0
研究分野 (1件): 電子・電気材料工学
研究概要:
高周波数・大電力で利用可能な次世代半導体の基板製造技術を確立する。開発された窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AIN)について、ドーピング実験を行い、半導体としての有効性を確認する。
研究制度: -

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