研課題
J-GLOBAL ID:200904032987203917  研究課題コード:2390 更新日:2013年10月07日

多価イオンプロセスによるナノデバイス創製

実施期間:2002 - 継続中
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
低エネルギー多価イオン1個を半導体表面などに照射すると、入射点にナノメーターサイズの明瞭なドット構造が生成されます。そのサイズはイオン種により制御可能で、各イオン照射ごとに均一なサイズと量子構造を持つことが観察されました。本研究では、この多価イオンのもつ革新的なプロセス能力を活用し、単一イオン入射を制御しながら量子ドットを周期的に配列させる技術を開発し、新しい(光)機能性素子の創製を目指します。
研究制度: ナノテクノロジー分野別バーチャルラボ
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
研究予算: 0(千円)
報告書等 (2件):
上位研究課題 (1件):

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