研課題
J-GLOBAL ID:200904032999927929  研究課題コード:950 更新日:2013年10月07日

電流誘起磁壁移動型磁気メモリの開発に向けた理論研究

電流誘起磁壁移動型磁気メモリの開発に向けた理論研究
実施期間:2003 - 2006
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
大容量不揮発メモリは、コンピュータの常識とIT技術を革新的に変えるものと期待されています。本研究ではナノサイズの磁石を用いた省電力不揮発性の新型高集積磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発に向けた基礎研究を行います。書き込みはナノの世界に特有な磁石と電気の強い相互作用を利用し電流で行い、読み出しはナノ接合の著しい信号増幅効果を用いるという新しいメカニズムを提案し、革新的なメモリの開発を目指します。
研究制度: ナノテクノロジー分野別バーチャルラボ
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
研究予算: 0(千円)
上位研究課題 (1件):

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