研課題
J-GLOBAL ID:200904035411560764  研究課題コード:9800046404 更新日:1998年04月22日

原子層エピタキシーにおける成長制御

Study on growth control on atomic layer epitaxy
実施期間:1995 - 2000
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
GaAsの原子層エピタキシー(ALE)において,数十Torrの圧力環境下でも利用可能な活性水素源を作成し,ALE条件の制御を試みた。活性水素セルを1500°Cに昇温して成長を行った場合,ALEウインドウが低温側へ50°C程度シフトしており,成長温度の低温化が可能であることが分かる。表面光吸収法による表面過程のその場観察からは,TMG供給によるAs終端面からメチルGa終端面への過程は活性水素を導入しても変化はなく,通常のサーマルALEと同様であることが推測された。また,アルシン供給によるメチルGa終端面からAs終端面への変化では,活性水素供給により活性化エネルギーの大きな低減が観察された。これは活性水素によりアルシンが基板表面もしくは近傍の空間中でAsHx(X=1,2)の様な中間体を形成し,そのために活性化エネルギーが現象している可能性を考えている
キーワード (5件):
ひ化ガリウム ,  原子層エピタクシー ,  成長 ,  制御 ,  活性化エネルギー
研究制度: 経常研究
研究予算: 1998年度: 0(千円)

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