研課題
J-GLOBAL ID:200904036439106194  研究課題コード:9800002334 更新日:1994年01月19日

反応性マグネトロンスパッタリング法によるアモルファスシリコン系薄膜の光学的電気的性質と素子への応用

Optical and electrical properties of tetrahedrally-bonded amorphous semiconductor thin films prepared by reactive magnetron sputtering
実施期間:1982 - 1992
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
水素,水素化物及びふっ化物ガスを反応ガスとして,アルモファスSi系(Si-C,Si-Ge,Si-Sn等)薄膜をプレーナマグネトロンスパッタリング法で作製する.導入ガス量及び薄膜構成元素の組成比に対応して薄膜の光学的.電気的性質の制御が可能であることから,薄膜素子,撮像管ターゲット,太陽電池及び電子写真感光体等への応用における特性向上が期待できる.ふっ化物ガス導入の場合,薄膜の熱的,機械的及び化学的安定性の向上に関しても併せて研究する
キーワード (11件):
非晶質半導体 ,  半導体薄膜 ,  けい素 ,  マグネトロンスパッタリング ,  太陽電池 ,  撮像管 ,  電子写真 ,  半導体素子 ,  水素 ,  ふっ素 ,  薄膜成長
研究制度: 経常研究

前のページに戻る